口腔修复体制作工三级高级工 详细题库

三单位烤瓷桥和全瓷桥瓷层的构筑方法及注意事项 题目预览

• 第 1 题 单选题
  氧化锆框架喷砂通常使用的氧化铝颗粒大小是（ ）。
  • A. 10μm
  • B. 25μm
  • C. 50μm
  • D. 100μm
  解析：根据职业技能要求，氧化锆框架喷砂推荐使用50μm的氧化铝颗粒，以提供适当的表面粗糙度而不损伤框架。
• 第 2 题 单选题
  喷砂处理后，氧化锆框架需要进行清洗，其主要目的是（ ）。
  • A. 去除油脂
  • B. 去除喷砂残留物
  • C. 增加光泽
  • D. 降低温度
  解析：清洗步骤旨在清除喷砂过程中残留的氧化铝颗粒和其他污染物，确保结合剂能有效涂布。
• 第 3 题 单选题
  涂布结合剂如硅烷偶联剂的主要作用是（ ）。
  • A. 增加框架强度
  • B. 提高瓷层与框架的结合力
  • C. 美化外观
  • D. 防止氧化
  解析：硅烷偶联剂能在氧化锆表面和瓷层之间形成化学键，增强结合强度，防止瓷层脱落。
• 第 4 题 单选题
  在氧化锆框架喷砂过程中，应注意避免（ ）。
  • A. 使用过大压力
  • B. 使用过小颗粒
  • C. 喷砂时间过长
  • D. 所有以上选项
  解析：喷砂时压力过大、颗粒过小或时间过长都可能损伤氧化锆框架，影响其完整性。
• 第 5 题 判断题
  氧化锆框架喷砂后应立即涂布结合剂，无需清洗。
  • A. 对
  • B. 错
  解析：喷砂后必须清洗以去除残留颗粒，否则会影响结合剂的涂布效果和结合强度。
• 第 6 题 判断题
  硅烷偶联剂涂布后应等待其完全干燥再进行瓷层构筑。
  • A. 对
  • B. 错
  解析：硅烷偶联剂需要充分干燥以形成有效的化学键，否则可能降低结合力。
• 第 7 题 多选题
  氧化锆框架基底处理中，喷砂步骤的注意事项包括（ ）。
  • A. 使用50μm氧化铝颗粒
  • B. 控制喷砂压力
  • C. 确保喷砂均匀
  • D. 喷砂后直接涂结合剂
  • E. 喷砂时间越长越好
  解析：喷砂应使用指定颗粒大小，控制压力和均匀性，但喷砂后需清洗，且时间不宜过长以避免损伤框架。D和E是错误的。
• 第 8 题 多选题
  涂布结合剂时，正确的操作是（ ）。
  • A. 涂布前确保框架干燥清洁
  • B. 涂布厚度越厚越好
  • C. 使用硅烷偶联剂
  • D. 涂布后立即加热
  • E. 涂布后等待自然干燥
  解析：涂布结合剂前框架应干燥清洁，常用硅烷偶联剂，涂布后需等待干燥。B和D不正确，因为涂布过厚可能影响结合，且加热可能破坏结合剂。