半导体芯片制造工四级中级工-氧化扩散工 详细题库
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第 1 题 单选题在光刻工艺中,"Alignment"的中文术语是( )。
- A. 对准
- B. 曝光
- C. 显影
- D. 刻蚀
解析:"Alignment"指对准,是光刻中确保掩模版与硅片位置正确的关键步骤。 -
第 2 题 单选题英文术语"Etching"在光刻中对应的中文是( )。
- A. 去胶
- B. 刻蚀
- C. 显影
- D. 曝光
解析:"Etching"指刻蚀,是将图形从光刻胶转移到硅片上的工艺过程。 -
第 3 题 单选题"Stripping"在光刻工艺中译为( )。
- A. 涂胶
- B. 曝光
- C. 去胶
- D. 显影
解析:"Stripping"指去胶,是去除光刻胶的步骤,常用于图形转移后。 -
第 4 题 单选题光刻工艺中的"Resolution"中文意思是( )。
- A. 对准精度
- B. 曝光时间
- C. 显影速度
- D. 分辨率
解析:"Resolution"指分辨率,是衡量光刻系统能分辨最小特征尺寸的指标。 -
第 5 题 判断题"Photoresist"的中文术语是光刻胶。
- A. 对
- B. 错
解析:正确,Photoresist对应光刻胶,是一种涂覆在硅片上的感光材料。 -
第 6 题 判断题光刻工艺中的"Exposure"步骤是将掩模版图形转移到光刻胶上的过程。
- A. 对
- B. 错
解析:正确,曝光是通过光线将掩模版图形投影到光刻胶上,引发光化学反应,实现图形转移。 -
第 7 题 多选题在光刻工艺中,以下英文术语与其中文对应正确的有( )。
- A. Photoresist - 光刻胶
- B. Mask - 曝光
- C. Exposure - 掩模版
- D. Development - 显影
- E. Etching - 刻蚀
解析:A正确,Photoresist对应光刻胶;B错误,Mask对应掩模版;C错误,Exposure对应曝光;D正确,Development对应显影;E正确,Etching对应刻蚀。 -
第 8 题 多选题以下关于光刻工艺术语的描述,正确的有( )。
- A. "Alignment"指对准
- B. "Resolution"指分辨率
- C. "Overlay"指套刻
- D. "Focus"指聚焦
- E. "Bake"指烘烤
解析:这些术语在光刻工艺中都有明确的中文对应:Alignment对准、Resolution分辨率、Overlay套刻、Focus聚焦、Bake烘烤。
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