半导体芯片制造工三级高级工-氧化扩散工 详细题库
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第 1 题 单选题光刻工艺的英文术语“Photolithography”对应中文( )。
- A. 光刻
- B. 曝光
- C. 显影
- D. 刻蚀
解析:Photolithography是光刻工艺的标准英文术语,中文为光刻。 -
第 2 题 单选题在光刻中,将掩模版图案转移到光刻胶上的过程称为( )。
- A. 涂胶
- B. 曝光
- C. 显影
- D. 烘烤
解析:曝光是通过光线照射,将掩模版图案成像到光刻胶上。 -
第 3 题 单选题光刻胶涂覆后,为了去除溶剂而进行的加热步骤是( )。
- A. 曝光后烘烤
- B. 硬烘烤
- C. 软烘烤
- D. 显影
解析:软烘烤是在涂胶后进行的加热,用于去除光刻胶中的溶剂,提高粘附性。 -
第 4 题 单选题光刻中,“Critical Dimension”缩写CD的中文术语是( )。
- A. 分辨率
- B. 套刻精度
- C. 对准精度
- D. 关键尺寸
解析:Critical Dimension(CD)指的是光刻图案的关键尺寸,是工艺控制的重要参数。 -
第 5 题 判断题光刻工艺中的“Development”步骤对应中文术语“显影”。
- A. 对
- B. 错
解析:Development在光刻工艺中指的是显影,即通过化学溶液去除曝光部分的光刻胶。 -
第 6 题 判断题“Overlay”是衡量光刻机分辨率的术语。
- A. 对
- B. 错
解析:Overlay指的是套刻精度,用于衡量多层光刻之间的对准精度;分辨率(Resolution)才是衡量光刻机最小可分辨尺寸的术语。 -
第 7 题 多选题在光刻工艺中,以下英文术语与中文意思对应正确的有( )。
- A. Alignment - 对准
- B. Overlay - 分辨率
- C. Critical Dimension - 关键尺寸
- D. Stepper - 步进式光刻机
- E. Scanner - 扫描式光刻机
解析:Overlay的中文意思是套刻精度,不是分辨率;其他选项对应正确。 -
第 8 题 多选题下列英文术语中,属于光刻工艺核心步骤的有( )。
- A. Coating
- B. Exposure
- C. Development
- D. Etching
- E. Stripping
解析:光刻工艺核心步骤包括光刻胶涂覆(Coating)、曝光(Exposure)、显影(Development)和去胶(Stripping);刻蚀(Etching)是图形转移的后续工艺,不属于光刻核心步骤。
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