半导体分立器件和集成电路装调工四级中级工-半导体分立器件和集成电路键合工 详细题库

半导体物理基础知识 题目预览

• 第 1 题 单选题
  在本征半导体中，电子浓度和空穴浓度满足（ ）。
  • A. n=p=ni
  • B. n>p
  • C. n<p
  • D. n*p=ni^2
  解析：本征半导体中电子和空穴成对产生，浓度相等，且等于本征载流子浓度ni。
• 第 2 题 单选题
  在P型半导体中，多数载流子是（ ）。
  • A. 电子
  • B. 空穴
  • C. 施主离子
  • D. 受主离子
  解析：P型半导体掺入三价杂质，产生空穴作为多数载流子。
• 第 3 题 单选题
  当费米能级位于禁带中央时，半导体处于（ ）。
  • A. N型
  • B. P型
  • C. 本征
  • D. 简并
  解析：本征半导体的费米能级近似位于禁带中央，此时电子和空穴浓度相等。
• 第 4 题 单选题
  在半导体霍尔效应测量中，可以获得的主要物理参数是（ ）。
  • A. 载流子浓度
  • B. 迁移率
  • C. 电阻率
  • D. 同时得到载流子浓度和迁移率
  解析：通过霍尔系数和电阻率可同时求得载流子浓度、类型和迁移率。
• 第 5 题 判断题
  在热平衡条件下，本征半导体的费米能级严格位于禁带中央。
  • A. 对
  • B. 错
  解析：由于电子和空穴有效质量不同，本征费米能级通常略偏离禁带中央，并非严格位于中央。
• 第 6 题 判断题
  在强电场下，半导体中载流子的漂移速度与电场强度成正比。
  • A. 对
  • B. 错
  解析：在强电场下载流子速度趋于饱和，与电场强度不成正比。
• 第 7 题 多选题
  关于半导体载流子的复合，下列说法正确的有（ ）。
  • A. 直接复合是导带电子直接跃迁到价带与空穴复合
  • B. 间接复合是通过禁带中的杂质或缺陷能级进行复合
  • C. 表面复合属于间接复合的一种
  • D. 俄歇复合是电子与空穴复合时能量传递给另一个载流子
  • E. 复合过程总是释放光子
  解析：直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合均为常见复合类型，表面复合通过表面能级属于间接复合；俄歇复合描述正确；复合可释放光子或声子，并非总是光子，故E错误。
• 第 8 题 多选题
  影响半导体中载流子迁移率的因素有（ ）。
  • A. 温度
  • B. 杂质浓度
  • C. 电场强度
  • D. 晶体缺陷
  • E. 光照
  解析：温度、杂质浓度、电场强度和晶体缺陷均会影响散射机制，从而改变迁移率；光照通常不直接改变迁移率，故E不选。