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单结晶体管触发电路原理 题目预览

• 第 1 题 单选题
  单结晶体管弛张振荡电路中，电容C的充电时间常数主要由（ ）决定。
  • A. 电容C和电阻Re的乘积
  • B. 电容C和电阻Rb的乘积
  • C. 电容C和发射结电阻的乘积
  • D. 电容C和电阻Rbb的乘积
  解析：在单结晶体管弛张振荡电路中，电容C通过电阻Re进行充电，其充电时间常数τ = Re * C。
• 第 2 题 单选题
  单结晶体管能够产生弛张振荡的根本原因是其具有（ ）。
  • A. 单向导电性
  • B. 负阻特性
  • C. 放大特性
  • D. 稳压特性
  解析：单结晶体管在达到峰点电压后，发射极与第一基极间的电阻急剧减小，电流增大而电压下降，呈现负阻特性，这是产生弛张振荡的基础。
• 第 3 题 单选题
  单结晶体管弛张振荡电路输出脉冲的宽度，主要取决于（ ）。
  • A. 电容C的放电时间常数
  • B. 电容C的充电时间常数
  • C. 电阻Re的大小
  • D. 分压比η的大小
  解析：输出脉冲的宽度主要由电容C通过单结晶体管发射结和电阻Rb1的放电速度决定，即放电时间常数。
• 第 4 题 单选题
  在单结晶体管弛张振荡电路中，改变电阻Re的阻值，可以调节（ ）。
  • A. 输出脉冲的宽度
  • B. 输出脉冲的幅度
  • C. 振荡频率
  • D. 单结晶体管的分压比
  解析：电阻Re与电容C共同决定了电容的充电速度，即决定了达到峰点电压所需的时间，因此改变Re可以改变振荡周期，从而调节振荡频率。
• 第 5 题 判断题
  单结晶体管弛张振荡电路中的电容C在放电时，会在电阻Rb1上产生尖脉冲输出。
  • A. 对
  • B. 错
  解析：当单结晶体管导通，电容C通过发射结和电阻Rb1迅速放电，在Rb1上形成一个陡峭的脉冲电压。
• 第 6 题 判断题
  单结晶体管的分压比η是一个固定值，由其内部结构决定，外部电路无法改变。
  • A. 对
  • B. 错
  解析：分压比η是单结晶体管固有的参数，其值等于Rb1与Rbb（Rb1+Rb2）的比值，由内部结构决定，外部电路无法调整。
• 第 7 题 多选题
  单结晶体管弛张振荡电路正常工作必须具备的条件包括（ ）。
  • A. 电源电压必须大于单结晶体管的峰点电压Up
  • B. 发射极回路电阻Re必须足够大，以保证工作在负阻区
  • C. 负载电阻必须匹配
  • D. 电容C的容量必须足够小
  • E. 电阻Rb2必须用于温度补偿
  解析：A选项是电容能充电至Up并触发导通的前提；B选项（Re > (Up-Uv)/Ip）是为了保证导通后能重新关断，从而形成振荡。C、D、E选项并非振荡的必要条件。
• 第 8 题 多选题
  关于单结晶体管弛张振荡电路，以下说法正确的是（ ）。
  • A. 振荡频率与RC充电回路的时间常数成正比
  • B. 输出脉冲的幅度与电源电压大小有关
  • C. Rb2电阻主要用于温度补偿，稳定触发点
  • D. 电容C的充电曲线呈线性上升
  • E. 电路振荡停止可能是因为Re阻值过小
  解析：B正确，脉冲幅度约等于电源电压在Rb1上的分压；C正确，Rb2的负温度系数可补偿Ub的负温度系数；E正确，Re过小会使电路直通，无法关断。A错误，频率与时间常数成反比；D错误，电容充电呈指数规律上升。